Graphenea石墨烯場效應晶體管芯片S20

產品名稱

中文名稱: Graphenea石墨烯場效應晶體管芯片S20

英文名稱：Graphenea Graphene Field-Effect Transistor chipS20

產品概述

石墨烯場效應晶體管是一種基于石墨烯電學特性構建的半導體器件。 通常由石墨烯溝道、源極、漏極和柵極組成。石墨烯溝道是電流傳輸的主要路徑，源極和漏極用于注入和收集載流子，柵極則通過施加電壓來調控溝道中的載流子濃度。 當在柵極上施加電壓時，會在石墨烯溝道中誘導出電荷，從而改變溝道的電導。通過控制柵極電壓，可以有效地調節源極和漏極之間的電流，實現晶體管的開關功能。

技術參數 

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：675μm

每個芯片的GFET數量：12

柵氧化層厚度：90nm

柵極氧化物材料：SiO2

基體電阻率 ：1-10 Ω.cm

封裝形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4

Dirac點（背柵）：＜50 V

良率  ：＞75%

石墨烯場效應遷移率：＞1000cm2/V.s

產品特點

1、高靈敏度：由于石墨烯溝道的厚度很薄，所有電流都在其表面流動，因此GFET具有非常高的靈敏度。 

2、雙極性特征：GFET可以使用電子和空穴兩者形成電流，具有雙極性特征。 

3、高頻性能：GFET的開關頻率可以接近太赫茲范圍，比硅基FET快幾倍。 

4、低功耗：石墨烯優異的導電性和導熱性使其工作時的電能損耗更低、散熱性能更好。

應用

電子器件：用于制造高頻、高速、低功耗的電子器件，如放大器、開關和數字電路等。 

傳感器：基于石墨烯的FET傳感器適用于各種傳感應用，包括氣體傳感、生物傳感和環境傳感等。 

能源領域：在能源存儲和轉換方面也有潛在的應用，如鋰離子電池和超級電容器的電極材料等。